Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Trang ChủSản phẩmPhụ kiện mô -đun thông minh công nghiệpThông số kỹ thuật mô -đun bộ nhớ DDR3 UDIMM

Thông số kỹ thuật mô -đun bộ nhớ DDR3 UDIMM

Hình thức thanh toán:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Đặt hàng tối thiểu:
1 Piece/Pieces
Giao thông vận tải:
Ocean,Air,Express,Land
  • Mô tả sản phẩm
Overview
Thuộc tính sản phẩm

Mẫu sốNSO4GU3AB

Khả năng cung cấp & Thông tin bổ...

Giao thông vận tảiOcean,Air,Express,Land

Hình thức thanh toánL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Đóng gói và giao hàng
Đơn vị bán hàng:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 chân DDR3 UDIMM


Lịch sử sửa đổi

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Đặt hàng bảng thông tin

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Sự miêu tả
Hengstar không có DDR3 SDRAM DIMM (tốc độ dữ liệu kép không đồng bộ Mô-đun bộ nhớ Dual Dual đồng bộ) là các mô-đun bộ nhớ hoạt động tốc độ cao, sử dụng các thiết bị SDRAM DDR3. NS04GU3AB là 512m x 64 bit hai thứ hạng 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM Sản phẩm DIMM không bị truy cập, dựa trên mười sáu thành phần FBGA 256M x 8 bit. SPD được lập trình theo độ trễ tiêu chuẩn JEDEC DDR3-1600 Thời gian 11-11-11 tại 1,5V. Mỗi DIMM 240 chân sử dụng ngón tay tiếp xúc vàng. SDRAM DIMM không có bộ phận được dự định để sử dụng làm bộ nhớ chính khi được cài đặt trong các hệ thống như PC và máy trạm.


Đặc trưng
Nguồn cung cấp: VDD = 1.5V (1.425V đến 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V đến 1.575V)
FCK 800MHz cho 1600MB/giây/pin
8 Ngân hàng nội bộ độc lập
Latency có thể lập trình độ trễ CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
L trễ phụ gia có thể lập trình bày: 0, Cl - 2 hoặc Cl - 1 đồng hồ
8-bit trước khi tìm kiếm
Độ dài khối lượng: 8 (xen kẽ không có giới hạn, tuần tự chỉ với địa chỉ bắt đầu chỉ 000 000 000), 4 với TCCD = 4 không cho phép đọc hoặc ghi liền mạch [khi bay bằng cách sử dụng A12 hoặc MRS]
Dữ liệu khác biệt theo hướng Bi
Hiệu chuẩn nội tâm (tự); Hiệu chỉnh bên trong thông qua pin ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Chống chấm dứt bằng cách sử dụng pin ODT
Thời gian làm mới tiết kiệm 7,8US ở mức thấp hơn TCASE 85 ° C, 3,9US ở 85 ° C <TCASE <95 ° C
Cài đặt lại đồng bộ hóa
Sức mạnh ổ đĩa dữ liệu-đầu ra dữ liệu có thể điều chỉnh được
Confly-by cấu trúc liên kết
PCB: Chiều cao 1.18 (30 mm)
Tuân thủ và không có halogen


Tham số thời gian chính

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Bảng địa chỉ

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Mô tả pin

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Ghi chú Bảng mô tả pin bên dưới là danh sách toàn diện của tất cả các chân có thể cho tất cả các mô -đun DDR3. Tất cả các chân được liệt kê có thể không được hỗ trợ trên mô -đun này. Xem các bài tập PIN để biết thông tin cụ thể cho mô -đun này.


Sơ đồ khối chức năng

Mô -đun 4GB, 512MX64 (2Rank của x8)

1


2


Ghi chú:
1. Bóng ZQ trên mỗi thành phần DDR3 được kết nối với điện trở 240Ω ± 1% bên ngoài được gắn với mặt đất. Nó được sử dụng để hiệu chuẩn của trình điều khiển đầu ra và chấm dứt chết của thành phần.



Kích thước mô -đun


Khung cảnh phía trước

3

Khung cảnh phía trước

4

Ghi chú:
1. Tất cả các kích thước theo milimet (inch); Tối đa/phút hoặc điển hình (typ) trong đó ghi chú.
2. Tolerance trên tất cả các kích thước ± 0,15mm trừ khi có quy định khác.
3. Sơ đồ thứ nguyên chỉ để tham khảo.

Danh mục sản phẩm : Phụ kiện mô -đun thông minh công nghiệp

Gửi email cho nhà cung cấp này
  • *Chủ đề:
  • *Đến:
    Mr. Jummary
  • *Thư điện tử:
  • *Tin nhắn:
    Tin nhắn của bạn phải trong khoảng từ 20-8000 nhân vật
Trang ChủSản phẩmPhụ kiện mô -đun thông minh công nghiệpThông số kỹ thuật mô -đun bộ nhớ DDR3 UDIMM
Gửi yêu cầu thông tin
*
*

Nhà

Product

Phone

Về chúng tôi

Yêu cầu thông tin

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gửi