Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Mẫu số: NSO4GU3AB
Giao thông vận tải: Ocean,Air,Express,Land
Hình thức thanh toán: L/C,T/T,D/A
Incoterm: FOB,EXW,CIF
4GB 1600MHz 240 chân DDR3 UDIMM
Lịch sử sửa đổi
Revision No. |
History |
Draft Date |
Remark |
1.0 |
Initial Release |
Apr. 2022 |
|
Đặt hàng bảng thông tin
Model |
Density |
Speed |
Organization |
Component Composition |
NS04GU3AB |
4GB |
1600MHz |
512Mx64bit |
DDR3 256Mx8 *16 |
Sự miêu tả
Hengstar không có DDR3 SDRAM DIMM (tốc độ dữ liệu kép không đồng bộ Mô-đun bộ nhớ Dual Dual đồng bộ) là các mô-đun bộ nhớ hoạt động tốc độ cao, sử dụng các thiết bị SDRAM DDR3. NS04GU3AB là 512m x 64 bit hai thứ hạng 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM Sản phẩm DIMM không bị truy cập, dựa trên mười sáu thành phần FBGA 256M x 8 bit. SPD được lập trình theo độ trễ tiêu chuẩn JEDEC DDR3-1600 Thời gian 11-11-11 tại 1,5V. Mỗi DIMM 240 chân sử dụng ngón tay tiếp xúc vàng. SDRAM DIMM không có bộ phận được dự định để sử dụng làm bộ nhớ chính khi được cài đặt trong các hệ thống như PC và máy trạm.
Đặc trưng
Nguồn cung cấp: VDD = 1.5V (1.425V đến 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V đến 1.575V)
FCK 800MHz cho 1600MB/giây/pin
8 Ngân hàng nội bộ độc lập
Latency có thể lập trình độ trễ CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
L trễ phụ gia có thể lập trình bày: 0, Cl - 2 hoặc Cl - 1 đồng hồ
8-bit trước khi tìm kiếm
Độ dài khối lượng: 8 (xen kẽ không có giới hạn, tuần tự chỉ với địa chỉ bắt đầu chỉ 000 000 000), 4 với TCCD = 4 không cho phép đọc hoặc ghi liền mạch [khi bay bằng cách sử dụng A12 hoặc MRS]
Dữ liệu khác biệt theo hướng Bi
Hiệu chuẩn nội tâm (tự); Hiệu chỉnh bên trong thông qua pin ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Chống chấm dứt bằng cách sử dụng pin ODT
Thời gian làm mới tiết kiệm 7,8US ở mức thấp hơn TCASE 85 ° C, 3,9US ở 85 ° C <TCASE <95 ° C
Cài đặt lại đồng bộ hóa
Sức mạnh ổ đĩa dữ liệu-đầu ra dữ liệu có thể điều chỉnh được
Confly-by cấu trúc liên kết
PCB: Chiều cao 1.18 (30 mm)
Tuân thủ và không có halogen
Tham số thời gian chính
MT/s |
tRCD(ns) |
tRP(ns) |
tRC(ns) |
CL-tRCD-tRP |
DDR3-1600 |
13.125 |
13.125 |
48.125 |
2011/11/11 |
Bảng địa chỉ
Configuration |
Refresh count |
Row address |
Device bank address |
Device configuration |
Column Address |
Module rank address |
4GB |
8K |
32K A[14:0] |
8 BA[2:0] |
2Gb (256 Meg x 8) |
1K A[9:0] |
2 S#[1:0] |
Mô tả pin
Symbol |
Type |
Description |
Ax |
Input |
Address inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column |
BAx |
Input |
Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or |
CKx, |
Input |
Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are |
CKEx |
Input |
Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry |
DMx |
Input |
Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is |
ODTx |
Input |
On-die termination: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) |
Par_In |
Input |
Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#. |
RAS#, |
Input |
Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being |
RESET# |
Input |
Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and |
Sx# |
Input |
Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command |
SAx |
Input |
Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address |
SCL |
Input |
Serial |
CBx |
I/O |
Check bits: Used for system error detection and correction. |
DQx |
I/O |
Data input/output: Bidirectional data bus. |
DQSx, |
I/O |
Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data; |
SDA |
I/O |
Serial |
TDQSx, |
Output |
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD |
Err_Out# |
Output (open |
Parity error output: Parity error found on the command and address bus. |
EVENT# |
Output (open |
Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical |
VDD |
Supply |
Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The |
VDDSPD |
Supply |
Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V. |
VREFCA |
Supply |
Reference voltage: Control, command, and address VDD/2. |
VREFDQ |
Supply |
Reference voltage: DQ, DM VDD/2. |
VSS |
Supply |
Ground. |
VTT |
Supply |
Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2. |
NC |
– |
No connect: These pins are not connected on the module. |
NF |
– |
No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality. |
Ghi chú Bảng mô tả pin bên dưới là danh sách toàn diện của tất cả các chân có thể cho tất cả các mô -đun DDR3. Tất cả các chân được liệt kê có thể không được hỗ trợ trên mô -đun này. Xem các bài tập PIN để biết thông tin cụ thể cho mô -đun này.
Sơ đồ khối chức năng
Mô -đun 4GB, 512MX64 (2Rank của x8)
Kích thước mô -đun
Khung cảnh phía trước
Khung cảnh phía trước
Ghi chú:
1. Tất cả các kích thước theo milimet (inch); Tối đa/phút hoặc điển hình (typ) trong đó ghi chú.
2. Tolerance trên tất cả các kích thước ± 0,15mm trừ khi có quy định khác.
3. Sơ đồ thứ nguyên chỉ để tham khảo.
Danh mục sản phẩm : Phụ kiện mô -đun thông minh công nghiệp
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.